HBM (High Bandwidth Memory) Technology

AI 시대 각광받는 신메모리 HBM

삼성전자와 SK하이닉스(Hynix)를 포함한 여러 기업이 개발하고 있는 혁신적인 반도체 기술 중 하나입니다. 

HBM은 고대역폭 메모리로서 기존의 GDDR5 및 GDDR6과 같은 메모리 기술에 비해 훨씬 높은 대역폭을 제공합니다.

HBM은 고성능 그래픽 카드 및 컴퓨터 시스템에서 사용되는 주요 메모리 기술 중 하나로, 

주로 대용량 및 고성능 메모리 요구 사항을 충족하기 위해 개발되었습니다. 

HBM은 여러 개의 3D 스택된 메모리 칩을 쌓아서 높은 밴드폭을 달성하며, 적은 공간을 차지하면서 전력 효율성도 향상시킵니다.

 

 

 

TSV는 메모리 칩을 수직으로 쌓고, 적층된 칩 사이에 얇은 금속 터널을 만들어 

전기적 신호가 칩 간 직접 전달되게 하는 패키징 기술이다. 

이로써 데이터 전송 속도의 지연을 최소화하고, 

적은 전력으로 많은 양의 데이터를 처리할 수 있게 된다. 

한편, HBM에는 CoW(Chip on Wafer)  기술과 

TCB(Thermal Compression Bonding) 기술도 적용되었다. 

CoW는 이름 그대로 웨이퍼 위에 칩을 붙이는 기술을 의미하며, 

TCB는 TSV가 적용된 얇은 칩이 

전기적으로 연결될 수 있게 정밀하게 쌓아 올리는 패키징 기술을 말한다.

 

 

한마디로 말하면 옆으로 늘리던것을 위로 쌓는 기술이다.

즉, 메모리크기를 줄일수있다. (공간차지를 덜하게 됨)

게다가 와이어본딩이 아니고 TSV로 전송속도를 높였다.